| | English

長江存儲科技有限責任公司

發佈日期:2020-07-17    流覽次數:128
工程名稱:國家記憶體基地項目(一期);國家記憶體基地項目(一期)二階段工程項目
工程地點:武漢光穀未來科技城內
建設單位:長江存儲科技有限責任公司
工程內容:國家存儲基地項目一期通用配電購裝(FAB1);通用配電B標段
建築面積:76752m2
建築層數:4層
結構類型:鋼筋混凝土框架-剪力牆+大跨度鋼屋架
工程概要::主廠房BUS WAY、I-LINE盤、ACB盤、SUPS及照明、插座等;配、變電所內插座配電系統安裝及調試;配、變電所內照明配電系統安裝及調試;含母線、I-LINE盤、ACB盤等,以及設備配電用電纜、橋架、照明等
 

聯繫我們

全國服務熱線:86-512-67027000 公司郵箱:lkengcn@lkeng.com.cn 工作日8:30-17:30

關注我們

Copyright©2018 by lkeng. All rights reserved.苏ICP备17037805号-1 客服熱線86-512-67027000